Technische Details IRFR3709ZTRRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote IRFR3709ZTRRPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR3709ZTRRPBF | Infineon / IR |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFR3709ZTRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)



