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IRFR3711ZTRPBF

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Produktcode: 173373
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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4000+0.74 EUR
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IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.99 EUR
6000+0.94 EUR
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IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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172+1.02 EUR
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200+0.88 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
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IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3711Z_DataSheet_v01_01_EN-3363156.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
auf Bestellung 5327 Stücke:
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1000+0.99 EUR
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IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
135+1.73 EUR
176+1.23 EUR
500+1.11 EUR
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IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5478 Stücke:
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109+2.3 EUR
135+1.73 EUR
176+1.23 EUR
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IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
11+1.96 EUR
100+1.52 EUR
500+1.3 EUR
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IRFR3711ZTRPBF infineon-irfr3711z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR3711ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.79 EUR
4000+0.74 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.79 EUR
4000+0.75 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.83 EUR
4000+0.79 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3711ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 93A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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200+0.88 EUR
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IRFR3711ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
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2+1.71 EUR
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1000+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR3711ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5478 Stücke:
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109+2.3 EUR
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176+1.23 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3711ZTRPBF INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3711ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5478 Stücke:
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176+1.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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IRFR3711ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11072 Stücke:
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11+1.96 EUR
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