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IRFR3806PBF

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Produktcode: 54257
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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Technische Details IRFR3806PBF

  • MOSFET, N, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:60V
  • Cont Current Id:43A
  • On State Resistance:12.6mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Power Dissipation:71W
  • Pulse Current Idm:170A
  • Transistor Case Style:D-PAK

Weitere Produktangebote IRFR3806PBF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFR3806PBF International Rectifier irfr3806pbf.pdf description DPAK Транзистори
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IRFR3806PBF ON Semiconductor IRFR3412.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 43, Rds = 15,8 мОм, Р, Вт = 71, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) ,... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFR3806PBF IRFR3806PBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9 description Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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IRFR3806PBF IRFR3806PBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3806_DataSheet_v01_01_EN-3363304.pdf description MOSFETs 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC
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IRFR3806PBF description irfr3806pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
DPAK Транзистори
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IRFR3806PBF description IRFR3412.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 43, Rds = 15,8 мОм, Р, Вт = 71, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) ,... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFR3806PBF description irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9
IRFR3806PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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IRFR3806PBF description Infineon_IRFR3806_DataSheet_v01_01_EN-3363304.pdf
IRFR3806PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 60V SINGLE N-CH 15.8mOhms 22nC
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