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IRFR3806TRPBF

IRFR3806TRPBF

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Produktcode: 164837
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Hersteller:
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 43 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12,6 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/22
Montage: SMD
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74000 Stücke:
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2000+0.86 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
152+1.54 EUR
250+1.26 EUR
1000+0.99 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3806_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr3806-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14899 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
auf Bestellung 3398 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
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250+1.26 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+2.73 EUR
152+1.54 EUR
250+1.26 EUR
1000+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
auf Bestellung 32278 Stücke:
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10+1.82 EUR
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
auf Bestellung 19463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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12+1.86 EUR
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ATtiny13A-SU
Produktcode: 22516
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ATtiny13A-SU
Hersteller: Atmel
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: SOIC-8 EIAJ
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrocontroller mit 1K Byte im System programmierbar Flash
Versorgungsspannung, V: 1,8...5,5 V
Kerntyp: AVR
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 20 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
ZCODE: 8542 31 90 00
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
L78L05ABUTR
Produktcode: 24972
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78L00 series.pdf
L78L05ABUTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-89
Eingangsspannung Uin, V: 30 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 0,1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: -40...125°C
Montage: SMD
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2544 St.
  • 2544 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LTV817S-TA1 [C]
Produktcode: 31279
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ltv817s-ta1.pdf
LTV817S-TA1 [C]
Hersteller: Lite-On
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+110°С
Kanalanzahl: 1
auf Bestellung: 10249 St.
  • 10249 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia)
Produktcode: 155242
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
bzv55-c12.pdf
BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia)
Hersteller: Nexperia
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 В
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 Вт
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 8,4 mV/K
auf Bestellung: 2097 St.
  • 2097 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
24+0.051 EUR
100+0.037 EUR
1000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
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10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 1953
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NPO.pdf
10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
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