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IRFR3806TRPBF

IRFR3806TRPBF

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Produktcode: 164837
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Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 43 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12,6 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/22
Montage: SMD
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9 Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3806pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
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41+2.09 EUR
66+1.29 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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78+2.2 EUR
113+1.48 EUR
144+1.12 EUR
159+0.96 EUR
500+0.73 EUR
2000+0.58 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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113+1.51 EUR
143+1.15 EUR
159+1.02 EUR
500+0.79 EUR
2000+0.64 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
auf Bestellung 3448 Stücke:
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93+2.7 EUR
126+1.86 EUR
250+1.33 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9 Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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12+1.8 EUR
50+1.34 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3806_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74000 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74000 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
auf Bestellung 171 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
41+2.09 EUR
66+1.29 EUR
73+1.18 EUR
89+0.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+2.2 EUR
113+1.48 EUR
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159+0.96 EUR
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2000+0.58 EUR
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14899 Stücke:
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78+2.21 EUR
113+1.51 EUR
143+1.15 EUR
159+1.02 EUR
500+0.79 EUR
2000+0.64 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3806TRPBF INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
auf Bestellung 3448 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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126+1.86 EUR
250+1.33 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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IRFR3806TRPBF INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
auf Bestellung 3448 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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IRFR3806TRPBF Infineon_IRFR3806_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
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ATtiny13A-SU
Produktcode: 22516
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ATtiny13A-SU
Hersteller: Atmel
IC > IC Mikrokontroller
Gehäusetyp: SOIC-8 EIAJ
Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrocontroller mit 1K Byte im System programmierbar Flash
Versorgungsspannung, V: 1,8...5,5 V
Kerntyp: AVR
Bitbreite: 8-Bit
Frequenz: 20 MHz
Betriebstemperatur, °C: -40...+85°C
ZCODE: 8542 31 90 00
verfügbar: 30 St.
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L78L05ABUTR
Produktcode: 24972
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78L00 series.pdf
L78L05ABUTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-89
Eingangsspannung Uin, V: 30 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 0,1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: -40...125°C
Montage: SMD
verfügbar: 30 St.
  • 30 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3118 St.
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10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
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LTV817S-TA1 [C]
Produktcode: 31279
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ltv817s-ta1.pdf
LTV817S-TA1 [C]
Hersteller: Lite-On
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+110°С
Kanalanzahl: 1
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BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia)
Produktcode: 155242
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bzv55-c12.pdf
BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia)
Hersteller: Nexperia
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 12 В
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 Вт
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 8,4 mV/K
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10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 1953
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NPO.pdf
10pF 50V NP0 5% 1206 4k/reel (C1206N100J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
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