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IRFR3806TRPBF

IRFR3806TRPBF

irfr3806pbf.pdf
Produktcode: 164837
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Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 12,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1150/22
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9 Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3806pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
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44+1.63 EUR
64+1.12 EUR
72+1 EUR
91+0.79 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9 Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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7+2.59 EUR
11+1.64 EUR
100+1.1 EUR
500+0.86 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3806_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
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10+1.66 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON irfr3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631e18720d9 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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AnzahlPreis
2000+0.73 EUR
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
44+1.63 EUR
64+1.12 EUR
72+1 EUR
91+0.79 EUR
100+0.72 EUR
250+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
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7+2.59 EUR
11+1.64 EUR
100+1.1 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRFR3806TRPBF Infineon_IRFR3806_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR3806TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
auf Bestellung 32796 Stücke:
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2+2.62 EUR
10+1.66 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.72 EUR
4000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR3806TRPBF INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3806TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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L78L05ABUTR
Produktcode: 24972
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78L00 series.pdf
L78L05ABUTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-89
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: -40...125
verfügbar: 4580 St.
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    LTV817S-TA1 [C]
    Produktcode: 31279
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    		ltv817s-ta1.pdf
    LTV817S-TA1 [C]
    Hersteller: Liteon
    IC > Optokoppler (Optrone)
    Gehäuse: DIP-4
    Typ: Optokoppler
    U-isol, kV: 5
    I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
    U ausg, V: 6
    Ton/Toff, µs: 4/3
    Роб.темп.,°С: -30…+110°C
    auf Bestellung 5788 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPreis
    1+0.29 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia)
    Produktcode: 155242
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		bzv55-c12.pdf
    BZV55-C12 (SOD-80, Nexperia)
    Hersteller: Nexperia
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
    Gehäuse: SOD-80
    Ustab.,V: 12 V
    Istab.direkt,A: 5mA
    Pmax: 0,4 W
    Монтаж: SMD
    Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
    auf Bestellung 2400 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    erwartet 100 St.:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Klemmen DG126-5.0-02P-14-00Z(H)
    Produktcode: 18375
    10 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		DG126.pdf
    Klemmen DG126-5.0-02P-14-00Z(H)
    Hersteller: Degson
    Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
    Beschreibung: Schritt: 5,0mm, Anzahl Kontakte: 02P, Spannung/Strom: 300V/10A, für Draht: 26-14AWG 1,5mm2
    Schritt, mm: 5mm
    Anzahl Kontakte: 2
    Клемник гвинтовий на PCB
    Номінальний струм: 10 А
    № 7: 8536 69 90 90
    auf Bestellung 6268 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    erwartet 15300 St.:
    15000 St. - erwartet
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    ATtiny13A-SU
    Produktcode: 22516
    4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		description ATtiny13A-SU.pdf
    ATtiny13A-SU
    Hersteller: Atmel
    IC > IC Mikrokontroller
    Gehäuse: SOIC-8
    Kurzbeschreibung: 8-bit Mikrokontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
    Strom, V: 1,8...5,5V
    Betriebstemperatur, °С: -40…+85°C
    Austauschbar: 8-Bit
    Bemerkung: 20MHz
    Робоча температура, °С: -40…+85°C
    ZCODE: 8542319000
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