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IRFR3910PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 52W 100V 15A 115mΩ DPAK

IRFR3910PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 52W 100V 15A 115mΩ DPAK

irfr3910pbf6y.pdf
Produktcode: 32400
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.115
Ciss, pF/Qg, nC: 640/44
JHGF: SMD
verfügbar 25 Stück:
8 Stück - stock Köln
17 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.02 EUR
10+0.90 EUR
100+0.60 EUR
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Technische Details IRFR3910PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 52W 100V 15A 115mΩ DPAK IR

IRFR3910PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 52W 100V 15A 115mΩ DPAK

 

Fortschrittliche Verfahrenstechnik

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

Bleifrei

 

Hersteller  Infineon (IRF)     

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar    

Transistor-Art     HEXFET     

Drain-Source Spannung       100V

Drainstrom         15A  

Leistung     52W

Gehäuse    DPAK        

Gate-Source Spannung        20V  

Widerstand im Leitungszustand   115mΩ     

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    2.4K/W     

Montage   SMD

Gewicht: 0.33 g

Produktcode 32400

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR3910PBF IRFR3910PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
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IRFR3910PBF IRFR3910PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN-3363411.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
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IRFR9120N
Produktcode: 57603
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description irfr9120n-datasheet.pdf
IRFR9120N
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Id,A: 6.6
Rds(on),Om: 480
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
/: SMD
verfügbar: 367 Stück
6 Stück - stock Köln
361 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
10+0.70 EUR
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Зарядное для Li-Po "type C" (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Produktcode: 165115
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Зарядное для Li-Po "type C" (TP4056 1A Lipo Battery Charging Board Type C)
Netzteile und Ladegeräte > Зарядні модулі, балансири та BMS
Beschreibung: Зарядний для Li-Po із захистом 18650. роз'єм: type "C. Струм: 1А
4,5...5,5 VDC
4,2 V
Maximaler Strom: 1 A
27x17x4 mm
Gerätetyp: Зарядний модуль
auf Bestellung 1721 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJ11016 (CDIL)
Produktcode: 183665
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MJ11016 (CDIL)
Hersteller: CDIL
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
Uceo,V: 120 V
Ucbo,V: 120 V
Ic,A: 30 A
Bem.: Дарлингтон
ZCODE: THT
auf Bestellung 19 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IR2117S
Produktcode: 3395
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description IR2117S.pdf
IR2117S
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,2/0,42
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 125/105
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 12 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.28 EUR
10+1.13 EUR
100+1.00 EUR
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100uF 50V EXR 10x12,5mm (EXR101M50B-Hitano)
Produktcode: 2439
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EXR_080421.pdf
100uF 50V EXR 10x12,5mm (EXR101M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 770 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.08 EUR
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