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IRFR3910TRPBF

IRFR3910TRPBF Infineon Technologies

infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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2000+0.57 EUR
4000+0.52 EUR
6000+0.49 EUR
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Technische Details IRFR3910TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.69 EUR
61+1.4 EUR
70+1.21 EUR
99+0.87 EUR
112+0.76 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.03 EUR
125+1.39 EUR
179+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.03 EUR
125+1.36 EUR
179+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR3910_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
auf Bestellung 15903 Stücke:
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2+2.51 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
24000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.18 EUR
120+1.94 EUR
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
120+1.94 EUR
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 140 Stücke:
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IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Infineon Technologies infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3910TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.58 EUR
4000+0.54 EUR
6000+0.51 EUR
10000+0.48 EUR
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IRFR3910TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+1.69 EUR
61+1.4 EUR
70+1.21 EUR
99+0.87 EUR
112+0.76 EUR
250+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.03 EUR
125+1.39 EUR
179+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.58 EUR
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IRFR3910TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3053 Stücke:
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87+2.03 EUR
125+1.36 EUR
179+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.52 EUR
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IRFR3910TRPBF
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MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
auf Bestellung 15903 Stücke:
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2+2.51 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
24000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR3910TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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500+0.83 EUR
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IRFR3910TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.18 EUR
120+1.94 EUR
147+1.46 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3910TRPBF INFN-S-A0012837754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3910TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.18 EUR
120+1.94 EUR
147+1.46 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR3910TRPBF infineonirfr3910datasheetv0101en.pdf
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Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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