IRFR4104TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details IRFR4104TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.
Weitere Produktangebote IRFR4104TRPBF nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 4032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 4032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V |
auf Bestellung 21304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm |
auf Bestellung 4381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm |
auf Bestellung 4381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4104TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 119A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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| 2000+ | 0.8 EUR |
| 6000+ | 0.71 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.8 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.81 EUR |
| 6000+ | 0.74 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.84 EUR |
| 6000+ | 0.75 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 74+ | 2.43 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 74+ | 2.43 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.55 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 40V 119A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 2.56 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
auf Bestellung 21304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.06 EUR |
| 11+ | 1.93 EUR |
| 50+ | 1.44 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.14 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 2000+ | 0.82 EUR |
| 4000+ | 0.76 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 4381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.8 EUR |
| 129+ | 1.8 EUR |
| 157+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 4381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.8 EUR |
| 129+ | 1.8 EUR |
| 157+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.06 EUR |
| IRFR4104TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)