IRFR4105TRPBF
Produktcode: 2752
Hersteller: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/34
JHGF: SMD
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC |
auf Bestellung 1628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 68W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR4105TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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IRFR5305PBF Produktcode: 2560 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 25
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 25
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD
auf Bestellung 486 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.47 EUR |
IRLR3410PBF Produktcode: 105980 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)LL4148 Produktcode: 2413 |
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 68467 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)4,7 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 2171 |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 4,7 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 4,7 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 20108 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.0038 EUR |
100+ | 0.0024 EUR |
1000+ | 0.0017 EUR |
2,2nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B222K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 1791 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 2,2nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 2,2nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 2386 Stück
erwartet:
4000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.0086 EUR |
1000+ | 0.0059 EUR |