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IRFR4105TRPBF

IRFR4105TRPBF

irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9
Produktcode: 2752
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/34
JHGF: SMD
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
342+0.42 EUR
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 620 Stücke:
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195+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.84 EUR
4000+0.78 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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auf Bestellung 490 Stücke:
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173+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR4105_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 8480 Stücke:
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6+3.03 EUR
10+1.91 EUR
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1607 Stücke:
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Anzahl Preis
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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4000+0.78 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.53 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.67 EUR
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 8480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.03 EUR
10+1.91 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
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IRFR4105TRPBF INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR4105TRPBF INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IR2101S
Produktcode: 14591
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description ir2101.pdf
IR2101S
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,13/0,27
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 160/150
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
verfügbar: 47 St.
5 St. - stock Köln
42 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1 EUR
10+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ST-010/R
Produktcode: 30580
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ST-010-R-ds.pdf
ST-010/R
Hersteller: Ninigi
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmen
Beschreibung: Клема ножова на провід
Bestimmung: Ізольовані конектори
Draht Durchschnitt u.a. Größen: 0,5...1 mm²
Farbe: червоний
Розмір: 6,3 mm
Монтаж: На провід
Тип наконечника: Плоский
Produkt ist nicht verfügbar
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KLS8-01115-MDD1.25-250
Produktcode: 98347
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kls8-01115.pdf
KLS8-01115-MDD1.25-250KLS8-01115-MDD1.25-250
KLS8-01115-MDD1.25-250KLS8-01115-MDD1.25-250
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmen
Beschreibung: Klemme-Männchen messer- 0,8х6,35mm; für Draht 0,5-1,5mm2(AWG22-16),IMax=15A; Farbe Isolator - rot
Bestimmung: messer-
Draht Durchschnitt u.a. Größen: 0,5-1,5mm2
Farbe: rot
Розмір: 6,3 mm
Монтаж: На провід
Тип наконечника: Плоский
verfügbar: 5582 St.
974 St. - stock Köln
4608 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2 St.
Anzahl Preis
1+0.092 EUR
10+0.06 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.028 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Разъем GX16-8 (KLS15-225-M16-8F1)
Produktcode: 161383
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
kls15-225-m16.pdf
Разъем GX16-8 (KLS15-225-M16-8F1)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Luftfahrtsteckverbinder (Rundsteckverbinder/GX-Steckverbinder)
Тип: GX16 Роз'єми промислові IP55
Опис: Вилка на кабель (з’єднувальна різьба М16) 8-і контактна, контакти - гнізда; 5А, 125V; довжина 35,8мм, макс. діаметр 18мм; вологозахист клас IP55. Відповідна частина купується окремо: KLS15-225-M16-8M1 і подібні
Гніздо або штекер: Вилка
К-сть контактів: 8
Вид: на кабель
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 800 St.
800 St. - erwartet 15.08.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1768
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RC_series.pdf
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 60847 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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