IR2101S
Produktcode: 14591
2
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.19 EUR |
| 10+ | 1.07 EUR |
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Technische Details IR2101S IR
- MOSFET/IGBT DRIVER, 2101, SOIC8
- Driver IC Type:Power
- Case Style:SOIC
- No. of Pins:8
- Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
- Base Number:2101
- IC Generic Number:2101
- Logic Function Number:2101
- Max Operating Temperature:125`C
- Max Output Voltage:20V
- Min Output Voltage:10V
- Min Temperature Operating:-40`C
- Offset Voltage:600V
- Termination Type:SMD
- Driver IC Case Style:SOIC
- Logic IC Function:Independent High & Low Side
- Min Output Sink Current:210mA
- Min Output Source Current:100mA
- Turn Off Time, t Off:90ns
- Turn On Time, t On:130ns
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
IR2101S | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IR2101S |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
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| IRF3205PBF Produktcode: 25094
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|
![]() |
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1240 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| IRFR4105PBF Produktcode: 2752
1
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 27 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/34
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 27 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/34
Montage: SMD
auf Bestellung 51 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IR2101PBF Produktcode: 22631
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Bemerkung: Treiber für Leistungs-Feldeffekttransistoren
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Bemerkung: Treiber für Leistungs-Feldeffekttransistoren
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 44 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.48 EUR |
| ST-010/R Klemme rot Produktcode: 30580
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|
![]() |
Hersteller: Ninigi
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmen
Beschreibung: Klemme Flach- für Draht
Bestimmung: Isoliert Steckverbinder
Drahtquerschnitt u.a. Größen: 0,5...1 мм²
Farbe: rot
Größe: 6,3 мм
Montage: Für Draht
Kabelschuhtyp: Flach
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmen
Beschreibung: Klemme Flach- für Draht
Bestimmung: Isoliert Steckverbinder
Drahtquerschnitt u.a. Größen: 0,5...1 мм²
Farbe: rot
Größe: 6,3 мм
Montage: Für Draht
Kabelschuhtyp: Flach
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Stück im Wert von UAH
| IRF1404PBF Produktcode: 31360
1
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
auf Bestellung 807 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3 St.:








