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IRFR4105PBF

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Produktcode: 2752
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 27 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/34
Montage: SMD
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Technische Details IRFR4105PBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:25A
  • On State Resistance:0.045ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:46W
  • Power Dissipation Pd:46W
  • Pulse Current Idm:100A
  • SMD Marking:IRFR5104
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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2000+0.7 EUR
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79+2.2 EUR
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auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.27 EUR
147+1.13 EUR
167+0.96 EUR
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 2071 Stücke:
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100+2.51 EUR
138+1.56 EUR
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 2071 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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152+1.12 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 656 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
76+2.27 EUR
147+1.13 EUR
167+0.96 EUR
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
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MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Nennspannung: 35 V
Toleranz: ±20%
Größentyp: Size-D
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 26.09.2026
AnzahlPrivatkunde
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Nennstrom: 10 А
auf Bestellung: 2812 St.
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10+0.27 EUR
100+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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Nennspannung: 35 V
Toleranz: ±10%
Größentyp: Size-B
Zolltarifnummer: 8532 21 00 00
auf Bestellung: 509 St.
  • 509 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.27 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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51 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-51R-Hitano)
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P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 11x4.0 mm; Ø Anschluss = 0.76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
-55...+125°C
HS-Code: 8533 21 00 00
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet
auf Bestellung: 260 St.
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IR2104STRPBF
Produktcode: 11413
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description ir2104-65702.pdf
IR2104STRPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
verfügbar: 11 St.
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