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IRFR4105PBF

IRFR4105PBF

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Produktcode: 2752
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 27 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 700/34
Montage: SMD
auf Bestellung 51 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRFR4105PBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:25A
  • On State Resistance:0.045ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:46W
  • Power Dissipation Pd:46W
  • Pulse Current Idm:100A
  • SMD Marking:IRFR5104
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 342 Stücke
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1 EUR
4000+0.93 EUR
6000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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129+1.37 EUR
173+1 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR4105_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
auf Bestellung 1622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.93 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9 Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.27 EUR
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Infineon Technologies irfr4105pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1607 Stücke:
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1 EUR
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MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 7980 Stücke:
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10+2.27 EUR
100+1.52 EUR
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1000+1.09 EUR
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IRFR4105TRPBF INFN-S-A0012838794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
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IRFR4105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IR2101S
Produktcode: 14591
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description ir2101.pdf
IR2101S
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125 °C
Konfiguration: Halbbrücke
verfügbar: 47 St.
  • 5 St. - stock Köln
  • 42 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+1.19 EUR
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ST-010/R Klemme rot
Produktcode: 30580
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ST-010-R-ds.pdf
ST-010/R Klemme rot
Hersteller: Ninigi
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmen
Beschreibung: Flachsteckklemme für Leiter
Bestimmung: Isolierte Steckverbinder
Drahtquerschnitt u.a. Größen: 0,5...1 mm²
Farbe: rot
Größe: 6,3 mm
Montage: Leitermontage
Kabelschuhtyp: Flachform
Produkt ist nicht verfügbar
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Flachsteckklemme 6,35mm rot KLS8-01115-MDD1.25-250
Produktcode: 98347
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kls8-01115.pdf
Flachsteckklemme 6,35mm rot KLS8-01115-MDD1.25-250Flachsteckklemme 6,35mm rot KLS8-01115-MDD1.25-250
Flachsteckklemme 6,35mm rot KLS8-01115-MDD1.25-250Flachsteckklemme 6,35mm rot KLS8-01115-MDD1.25-250
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmen
Beschreibung: Flachstecker 0,8x6,35mm; für Leiter 0,5-1, 5mm² (AWG22-16), IMax = 15A; Isolatorfarbe - rot
Bestimmung: Isolierte Steckverbinder
Drahtquerschnitt u.a. Größen: 0,5...1,5 mm²
Farbe: rot
Größe: 6,3 mm
Montage: Leitermontage
Kabelschuhtyp: Flachform
verfügbar: 3784 St.
  • 974 St. - stock Köln
  • 2810 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.11 EUR
10+0.071 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.033 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Steckverbinder GX16-8 (KLS15-225-M16-8F1)
Produktcode: 161383
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
kls15-225-m16.pdf
Steckverbinder GX16-8 (KLS15-225-M16-8F1)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Luftfahrtsteckverbinder (Rundsteckverbinder/GX-Steckverbinder)
Typ: GX16 Steckverbinder Industrie- IP55
Beschreibung: Stecker an Kabel (Verbindungs- Gewinde M16) 8-und -Kontakt, Kontakte - Buchsen; 5A, 125V; Länge 35,8mm, max. Durchmesser 18mm; Feuchtigkeitsschutz Klasse IP55. Gegen- Teil wird gekauft separat: KLS15-225-M16-8M1 und ähnliche
Buchse oder Stecker: Stecker
Kontaktanzahl: 8
Ausführung: an Kabel
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 800 St.
  • 800 St. - erwartet 15.08.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1768
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RC_series.pdf
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
auf Bestellung 54347 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100000 St.:
100000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
10+0.0045 EUR
100+0.0029 EUR
1000+0.002 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH