IRFR420
Produktcode: 18228
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252A
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 2,4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/19
Montage: SMD
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Weitere Produktangebote IRFR420 nach Preis ab 1.76 EUR bis 2.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR420 | Harris Corporation |
Description: 2.5A 500V 3.000 OHM N-CHANNELInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk |
auf Bestellung 779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFR420 | HARRIS |
IRFR420 |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR420 | IR |
07+ TO-252 |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFR420 |
![]() |
Hersteller: Harris Corporation
Description: 2.5A 500V 3.000 OHM N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Description: 2.5A 500V 3.000 OHM N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 342+ | 1.76 EUR |
| IRFR420 |
![]() |
Hersteller: HARRIS
IRFR420
IRFR420
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 292+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.99 EUR |
| IRFR420 |
![]() |
Hersteller: IR
07+ TO-252
07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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| BAV99 Produktcode: 177783
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|
![]() |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev., V: 75 В
Iausr., A: 0,215 А
Beschreibung: Schnell 75V 2x0.215
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1,25 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOT-23
Urev., V: 75 В
Iausr., A: 0,215 А
Beschreibung: Schnell 75V 2x0.215
Montage: SMD
Spannungsabfall Vf: 1,25 В
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.043 EUR |
| 100+ | 0.031 EUR |
| 1000+ | 0.024 EUR |
| LM324N Produktcode: 162910
2
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Vc, V: 32 В
Bandbreite BW, MHz: 1,2 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 5 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 1 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°С
Anzahl Kanäle: 4
Montage: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Vc, V: 32 В
Bandbreite BW, MHz: 1,2 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 5 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 1 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°С
Anzahl Kanäle: 4
Montage: THT
auf Bestellung 194 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.43 EUR |
| 10+ | 0.39 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| SS16 Produktcode: 16411
1
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|
![]() |
Hersteller: YJ/Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,7 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 40 А
UKTZED: 8541 10 00 90
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,7 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 40 А
UKTZED: 8541 10 00 90
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.058 EUR |
| 100+ | 0.046 EUR |
| 1000+ | 0.036 EUR |
| SS14 Produktcode: 1577
5
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|
![]() |
Hersteller: YJ/MIC/Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 40 А
UKTZED: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 40 А
UKTZED: 8541 10 00 10
auf Bestellung 8884 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.058 EUR |
| 100+ | 0.051 EUR |
| 1000+ | 0.036 EUR |





