IRFR420TRPBF

IRFR420TRPBF Infineon Technologies


213infineon-irfr420trpbf-ds-v01_00-en.pdffileid5546d4625ee5d4cd015f0.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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Technische Details IRFR420TRPBF Infineon Technologies

Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 42W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Weitere Produktangebote IRFR420TRPBF nach Preis ab 0.57 EUR bis 3.78 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY IRFR420PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1601 Stücke:
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50+1.43 EUR
66+1.08 EUR
100+0.79 EUR
250+0.7 EUR
500+0.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 50
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IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.96 EUR
133+1.08 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Vishay Semiconductors sihfr420.pdf MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
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1+2.9 EUR
10+1.83 EUR
100+1.2 EUR
500+1.05 EUR
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IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.78 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
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IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY VISH-S-A0013857015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF Vishay sihfr420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR420TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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IRFR420TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1851 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 74
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 500V 3.3A N-CH MOSFET
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1+2.9 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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10+2.43 EUR
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IRFR420TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR420TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.4 A, 3 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 660 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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