IRFR5305/PBF
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Technische Details IRFR5305/PBF
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFR5305/PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| IRFR5305PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
 P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305PBF |
IRFR5305PBF Транзисторы |
auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFR5305PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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IRFR5305PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR5305PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR5305PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR5305PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
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IRFR5305PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
Produkt ist nicht verfügbar |