IRFR5305TRPBF
Produktcode: 4177
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
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Technische Details IRFR5305TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Continuous Drain Current, Id:-31A
- Drain Source Voltage, Vds:-55V
- On Resistance, Rds(on):65mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:110W
Weitere Produktangebote IRFR5305TRPBF nach Preis ab 0.52 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMWAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGSAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 11270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 20513 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1308 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 29042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
auf Bestellung 52486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 42171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF | Infineon |
P-ch. DPAK TO-252 Транзистори |
auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 2.18 EUR |
| 115+ | 1.49 EUR |
| 116+ | 1.44 EUR |
| 148+ | 1.11 EUR |
| 269+ | 0.6 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.71 EUR |
| 4000+ | 0.67 EUR |
| 6000+ | 0.58 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.71 EUR |
| 4000+ | 0.68 EUR |
| 6000+ | 0.61 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.75 EUR |
| 6000+ | 0.65 EUR |
| IRFR5305TR |
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Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.98 EUR |
| IRFR5305TR |
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Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.98 EUR |
| IRFR5305TR |
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Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.98 EUR |
| IRFR5305TR |
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Hersteller: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.05 EUR |
| IRFR5305TR |
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Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 11270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.37 EUR |
| IRFR5305TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.37 EUR |
| IRFR5305TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.37 EUR |
| IRFR5305TR |
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Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20513 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.37 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 106+ | 1.63 EUR |
| 107+ | 1.58 EUR |
| 141+ | 1.18 EUR |
| 269+ | 0.61 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 1.64 EUR |
| 110+ | 1.55 EUR |
| 250+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 1.99 EUR |
| 68+ | 1.26 EUR |
| 80+ | 1.07 EUR |
| 102+ | 0.84 EUR |
| 200+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| 2000+ | 0.56 EUR |
| 4000+ | 0.52 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 2.18 EUR |
| 115+ | 1.45 EUR |
| 116+ | 1.38 EUR |
| 148+ | 1.05 EUR |
| 269+ | 0.55 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 2.52 EUR |
| 106+ | 1.57 EUR |
| 107+ | 1.5 EUR |
| 140+ | 1.09 EUR |
| 268+ | 0.55 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 29042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.73 EUR |
| 13+ | 1.71 EUR |
| 50+ | 1.29 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
auf Bestellung 52486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.76 EUR |
| 10+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 2000+ | 0.75 EUR |
| 4000+ | 0.68 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 42171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 72+ | 3.47 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 173+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 5000+ | 0.81 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon
P-ch. DPAK TO-252 Транзистори
P-ch. DPAK TO-252 Транзистори
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.95 EUR |
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| IRFR5305TR Produktcode: 185048
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 25 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 25 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.57 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| BZX55-C15 Produktcode: 30714
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 11,3 mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 11,3 mV/K
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.058 EUR |
| 100+ | 0.049 EUR |
| 1000+ | 0.037 EUR |
| BZX55-C6V2 Produktcode: 30482
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 6,2 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 2,2 mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 6,2 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 2,2 mV/K
auf Bestellung: 95 St.
- 95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.051 EUR |
| 100+ | 0.039 EUR |
| 1000+ | 0.031 EUR |
| 7,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-7K5R-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 4560
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 7,5 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 7,5 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 4768 St.
- 4768 St. - stock Köln
auf Bestellung: 13180 St.
- 13180 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.0045 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0027 EUR |
| 8,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-8K2-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 1787
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 8,2 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 8,2 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
- 1200 St. - stock Köln
erwartet: 20000 St.
- 20000 St. - erwartet
auf Bestellung: 176 St.
- 176 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.0045 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0027 EUR |









