IRFR5305TRPBF
Produktcode: 4177
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
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Technische Details IRFR5305TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Continuous Drain Current, Id:-31A
- Drain Source Voltage, Vds:-55V
- On Resistance, Rds(on):65mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:110W
Möglichen Substitutionen IRFR5305TRPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRFR5305TR Produktcode: 185048
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Id, A: 25 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 550 St.
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| IRFR5305TR Produktcode: 185048
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 25 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 25 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 550 St.
- 50 St. - erwartet 28.10.2026
- 500 St. - erwartet 28.10.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.57 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
Weitere Produktangebote IRFR5305TRPBF nach Preis ab 0.67 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
auf Bestellung 83857 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 98892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 22913 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR5305TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 40658 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 129+ | 1.39 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 2.24 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
auf Bestellung 83857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.75 EUR |
| 10+ | 1.29 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 2000+ | 0.75 EUR |
| 4000+ | 0.67 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 98892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.81 EUR |
| 12+ | 1.77 EUR |
| 50+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.67 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.67 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 242+ | 0.74 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.76 EUR |
| 6000+ | 0.67 EUR |
| IRFR5305TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.42 EUR |
| IRFR5305TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.42 EUR |
| IRFR5305TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.42 EUR |
| IRFR5305TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 22913 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.42 EUR |
| IRFR5305TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 40658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 72+ | 3.47 EUR |
| 115+ | 2.03 EUR |
| 173+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 5000+ | 0.81 EUR |
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| IRFR5305TR Produktcode: 185048
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 25 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 25 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 550 St.
- 50 St. - erwartet 28.10.2026
- 500 St. - erwartet 28.10.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.57 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| BZX55-C15 Produktcode: 30714
1
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|
![]() |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 11,3 mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 11,3 mV/K
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 2000 St.
- 2000 St. - erwartet 28.10.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 0.079 EUR |
| 21+ | 0.058 EUR |
| 100+ | 0.049 EUR |
| 1000+ | 0.037 EUR |
| BZX55-C6V2 Produktcode: 30482
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 6,2 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 2,2 mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 6,2 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 2,2 mV/K
auf Bestellung: 95 St.
- 95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 0.079 EUR |
| 24+ | 0.051 EUR |
| 100+ | 0.039 EUR |
| 1000+ | 0.031 EUR |
| 7,5 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-7K5R-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 4560
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 7,5 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 7,5 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 4768 St.
- 4768 St. - stock Köln
auf Bestellung: 12380 St.
- 12380 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 260+ | 0.0046 EUR |
| 270+ | 0.0045 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0027 EUR |
| 8,2 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-8K2-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 1787
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 8,2 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 8,2 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
- 1200 St. - stock Köln
erwartet: 20000 St.
- 20000 St. - erwartet
auf Bestellung: 176 St.
- 176 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 260+ | 0.0046 EUR |
| 270+ | 0.0045 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0027 EUR |








