Technische Details IRFR540ZPBF
- MOSFET,N-CH 100V 35A DPAK
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:21A
- On State Resistance:28.5mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:D-PAK
- Termination Type:SMD
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Max Voltage Vgs th:4V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:91W
- Transistor Case Style:D-PAK
Weitere Produktangebote IRFR540ZPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFR540ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR540ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR540ZPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR540ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
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IRFR540ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC |
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