IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFR6215TRLPBF nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC |
auf Bestellung 2285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR6215TRLPBF Produktcode: 187580
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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IRFR6215TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFR6215TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A Kind of package: reel; tape |
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