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IRFR8314TR

IRFR8314TR UMW

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Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details IRFR8314TR UMW

Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR8314TR IRFR8314TR JGSEMI TIRFR8314_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 3,4mOhm; 90A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314TR JGSEMI TIRFR8314 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRFR8314TR TIRFR8314_UMW_UMW_0001.pdf
IRFR8314TR
Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 3,4mOhm; 90A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR8314TR; SP001565102; IRFR8314TR JGSEMI TIRFR8314 JGS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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