IRFR8314TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR8314TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFR8314TRPBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A Power dissipation: 125W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A Power dissipation: 125W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 179A 2.2 mOhm 36 nC Qg |
auf Bestellung 3404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4945 pF @ 15 V |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR8314TRPBF Produktcode: 198287 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFR8314TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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