IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFR9024NTRLPBF nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC |
auf Bestellung 8854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 38; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK |
auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR9024NTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |