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IRFR9024NTRLPBF

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR9024N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC
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2+2.68 EUR
10+1.26 EUR
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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF Infineon Technologies irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132 Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 3362 Stücke:
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72+3.47 EUR
147+1.58 EUR
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IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
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IRFR9024NTRLPBF infineonirfr9024ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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IRFR9024NTRLPBF
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Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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IRFR9024NTRLPBF
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Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRFR9024NTRLPBF
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MOSFETs MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC
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10+1.26 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRFR9024NTRLPBF INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 3362 Stücke:
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147+1.58 EUR
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500+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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IRFR9024NTRLPBF INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9024NTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 3362 Stücke:
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LM358PWR
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IRFL4105TRPBF
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SMBJ30CA-E3/52
Produktcode: 181460
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SMBJ30CA-E3/52
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 Вт
Durchbruchspannung, Vbr: 36,8 В
Sperrspannung, Vrm: 30 В
Leckstrom, Irm: 1 мкА
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: SMD
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 153 St.
  • 153 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.19 EUR
100+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
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ES1D
Produktcode: 175546
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ES1D
Hersteller: Vishay/Yongyutai
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 200 В
Mittlerer Strom Iav, A: 1 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
auf Bestellung: 2016 St.
  • 2016 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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11+0.12 EUR
13+0.098 EUR
100+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
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