IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm.
Weitere Produktangebote IRFR9120NTRPBF nach Preis ab 0.5 EUR bis 3.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
  Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 128000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC |
auf Bestellung 17849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 24462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm |
auf Bestellung 5984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm |
auf Bestellung 5984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.5A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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| 2000+ | 0.5 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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| 2000+ | 0.5 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 128000 Stücke:
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|---|---|
| 2000+ | 0.5 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.6 EUR |
| 6000+ | 0.52 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 1.75 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 1.75 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
auf Bestellung 17849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.23 EUR |
| 10+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 2000+ | 0.58 EUR |
| 4000+ | 0.54 EUR |
| 10000+ | 0.52 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 24462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.26 EUR |
| 15+ | 1.42 EUR |
| 50+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 3.52 EUR |
| 113+ | 2.07 EUR |
| 170+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| 5000+ | 0.83 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.52 EUR |
| 113+ | 2.07 EUR |
| 170+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| 5000+ | 0.83 EUR |
| IRFR9120NTRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)