IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.6 EUR |
| 4000+ | 0.56 EUR |
| 6000+ | 0.48 EUR |
| 10000+ | 0.46 EUR |
| 14000+ | 0.43 EUR |
| 20000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFR9120NTRPBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.5A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC |
auf Bestellung 13565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
auf Bestellung 13085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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