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IRFR9120NTRPBF

IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies

infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 140000 Stücke:
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138 description Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
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2000+0.6 EUR
6000+0.52 EUR
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 217 Stücke:
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113+1.52 EUR
151+1.13 EUR
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2129 Stücke:
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90+1.93 EUR
127+1.31 EUR
163+0.99 EUR
180+0.86 EUR
500+0.64 EUR
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2129 Stücke:
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90+1.93 EUR
128+1.33 EUR
163+1.02 EUR
180+0.9 EUR
500+0.69 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9120npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.99 EUR
64+1.34 EUR
100+0.86 EUR
200+0.76 EUR
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138 description Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 16602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 217 Stücke:
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73+2.38 EUR
113+1.48 EUR
151+1.06 EUR
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR9120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
auf Bestellung 2951 Stücke:
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2+2.49 EUR
10+1.21 EUR
100+1.01 EUR
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1000+0.7 EUR
2000+0.6 EUR
4000+0.51 EUR
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 7291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
104+2.25 EUR
156+1.38 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 7291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
104+2.25 EUR
156+1.38 EUR
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1000+1.04 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2000+0.56 EUR
6000+0.48 EUR
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IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9120NTRPBF description irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.73 EUR
6000+0.64 EUR
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IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+1.52 EUR
151+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+1.93 EUR
127+1.31 EUR
163+0.99 EUR
180+0.86 EUR
500+0.64 EUR
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+1.93 EUR
128+1.33 EUR
163+1.02 EUR
180+0.9 EUR
500+0.69 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF description irfr9120npbf.pdf
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+1.99 EUR
64+1.34 EUR
100+0.86 EUR
200+0.76 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF description irfr9120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563607932138
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 16602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFR9120NTRPBF description infineonirfr9120ndatasheetv0101en.pdf
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+2.38 EUR
113+1.48 EUR
151+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF description Infineon_IRFR9120N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC
auf Bestellung 2951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.49 EUR
10+1.21 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.6 EUR
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF description INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 7291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+3.84 EUR
104+2.25 EUR
156+1.38 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9120NTRPBF description INFN-S-A0012837716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR9120NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
auf Bestellung 7291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.84 EUR
104+2.25 EUR
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