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IRFR9214PBF

IRFR9214PBF Vishay

sihfr921.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details IRFR9214PBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V.

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IRFR9214PBF IRFR9214PBF Hersteller : Vishay sihfr921.pdf Trans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR9214PBF IRFR9214PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfr921.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
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Produktcode: 56884
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Hersteller : Vishay de387t832deygklwdpwdf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 250
Id,A: 2.7
Rds(on),Om: 3.0
Ciss, pF/Qg, nC: 220/14
/: SMD
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IRFR9214PBF Hersteller : VISHAY sihfr921.pdf IRFR9214PBF SMD P channel transistors
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