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IRFR9310PBF

IRFR9310PBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details IRFR9310PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1137 Stücke:
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500+1.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY IRFR9310PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 513 Stücke:
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43+1.99 EUR
83+1.04 EUR
97+0.88 EUR
150+0.84 EUR
375+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 513 Stücke:
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87+2 EUR
100+1.73 EUR
150+1.67 EUR
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IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay sihfr931.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay Semiconductors sihfr931.pdf MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
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1+3.42 EUR
10+1.86 EUR
100+1.5 EUR
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IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY VISH-S-A0013857047-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
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62+4.07 EUR
113+2.06 EUR
141+1.52 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.75 EUR
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IRFR9310PBF IRFR9310PBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 3133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.89 EUR
75+2.06 EUR
150+1.86 EUR
525+1.57 EUR
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IRFR9310PBF sihfr931.pdf IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
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IRFR9310PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+1.81 EUR
127+1.33 EUR
143+1.13 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
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IRFR9310PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 513 Stücke:
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83+1.04 EUR
97+0.88 EUR
150+0.84 EUR
375+0.8 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 513 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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150+1.67 EUR
375+1.42 EUR
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auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+2.87 EUR
101+1.67 EUR
123+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
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10+1.86 EUR
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3000+1.23 EUR
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IRFR9310PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
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5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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150+1.86 EUR
525+1.57 EUR
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IRFR9310PBF Транзисторы HEXFET
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