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IRFS3004TRL7PP

IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies

infineonirfs30047pdatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs30047pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs30047pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies irfs3004-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563631632147 Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
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IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs30047pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs30047pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs30047pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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43+3.46 EUR
49+2.93 EUR
100+2.42 EUR
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IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRFS3004_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 240A 1.2mOhm 160nC Qg
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1+6.58 EUR
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IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP Infineon Technologies irfs3004-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563631632147 Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
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3+7.23 EUR
10+4.77 EUR
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IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP INFINEON INFN-S-A0001220456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 269 Stücke:
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IRFS3004TRL7PP IRFS3004TRL7PP INFINEON INFN-S-A0001220456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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100+3.16 EUR
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500+2.87 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
41+3.44 EUR
100+3.34 EUR
250+3.27 EUR
500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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49+2.93 EUR
100+2.42 EUR
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MOSFETs MOSFT 40V 240A 1.2mOhm 160nC Qg
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IRFS3004TRL7PP
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 269 Stücke:
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IRFS3004TRL7PP INFN-S-A0001220456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3004TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 269 Stücke:
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