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IRFS3004TRLPBF

IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3004_DataSheet_v01_01_EN-3363434.pdf MOSFETs MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg
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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Hersteller : INFINEON 356274.pdf Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Hersteller : INFINEON 356274.pdf Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3004TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3004-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3004TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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