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IRFS3004TRLPBF

IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies

irfs3004pbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies irfs3004pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3004_DataSheet_v01_01_EN-3363434.pdf MOSFETs MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg
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IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF INFINEON 356274.pdf Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263AB
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Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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