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IRFS3006TRL7PP

IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies irfs30067ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies irfs3006-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364189214d Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V
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IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 666 Stücke:
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IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies irfs3006-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364189214d Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V
auf Bestellung 4395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.26 EUR
10+5.45 EUR
100+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRFS3006_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
auf Bestellung 1103 Stücke:
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100+4.8 EUR
500+4.63 EUR
800+4.19 EUR
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IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 666 Stücke:
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22+11.82 EUR
31+7.57 EUR
100+5.44 EUR
500+5.25 EUR
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IRFS3006TRL7PP International Rectifier HiRel Products irfs3006-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364189214d IRFS3006TRL7PP
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148+4.46 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V
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auf Bestellung 22400 Stücke:
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auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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50+3.83 EUR
100+3.65 EUR
200+3.21 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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42+4.21 EUR
46+3.83 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 54 Stücke:
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42+4.21 EUR
46+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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40+4.45 EUR
50+4.06 EUR
100+3.9 EUR
200+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 253600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.94 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17600 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 38400 Stücke:
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800+4.94 EUR
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IRFS3006TRL7PP INFN-S-A0004146170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3006TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 666 Stücke:
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100+5.44 EUR
500+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 168A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8850 pF @ 50 V
auf Bestellung 4395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.26 EUR
10+5.45 EUR
100+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
auf Bestellung 1103 Stücke:
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10+6.14 EUR
100+4.8 EUR
500+4.63 EUR
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IRFS3006TRL7PP INFN-S-A0004146170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3006TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3006TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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22+11.82 EUR
31+7.57 EUR
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500+5.25 EUR
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRFS3006TRL7PP
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148+4.46 EUR
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