Name: IRFS3006TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3635162-5
Price: 2056 EUR
Availability: InStock

IRFS3006TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfs3006-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f

Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V

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500+	2.96 EUR
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167+	3.25 EUR
500+	2.96 EUR
1000+	2.7 EUR
10000+	2.43 EUR

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49+	2.86 EUR
100+	2.5 EUR
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500+	2.29 EUR

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50+	3.17 EUR
100+	2.95 EUR
250+	2.75 EUR
500+	2.57 EUR

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200+	2.85 EUR
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MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

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IRFS3006TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V

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10+	5.49 EUR
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Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFS3006TRLPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 159 Stücke:

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IRFS3006TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IRFS3006TRLPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

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Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies

Technische Details IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies

Weitere Produktangebote IRFS3006TRLPBF nach Preis ab 2.15 EUR bis 7.71 EUR