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IRFS3107TRL7PP

IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies

infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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Technische Details IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies irfs3107-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636518c2152 Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
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800+4.14 EUR
1600+3.89 EUR
2400+3.88 EUR
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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 755 Stücke:
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140+4.72 EUR
500+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
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140+4.72 EUR
500+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012837666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1207 Stücke:
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100+6.05 EUR
500+5.87 EUR
1000+4.69 EUR
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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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19+9.27 EUR
50+6.5 EUR
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500+4.31 EUR
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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs31077pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.27 EUR
50+6.5 EUR
100+6.26 EUR
200+4.68 EUR
500+4.37 EUR
800+4.16 EUR
1600+3.43 EUR
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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRFS3107_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC
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100+5.09 EUR
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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies irfs3107-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636518c2152 Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
auf Bestellung 5160 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012837666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS3107TRL7PP
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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auf Bestellung 560 Stücke:
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IRFS3107TRL7PP INFN-S-A0012837666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3107TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+5.87 EUR
1000+4.69 EUR
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Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.27 EUR
50+6.5 EUR
100+6.26 EUR
200+4.68 EUR
500+4.31 EUR
800+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 260A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.27 EUR
50+6.5 EUR
100+6.26 EUR
200+4.68 EUR
500+4.37 EUR
800+4.16 EUR
1600+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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IRFS3107TRL7PP Infineon_IRFS3107_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS3107TRL7PP
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC
auf Bestellung 3759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.17 EUR
10+7.1 EUR
100+5.09 EUR
500+4.84 EUR
800+4.49 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
auf Bestellung 5160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+10.89 EUR
10+7.26 EUR
100+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3107TRL7PP INFN-S-A0012837666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3107TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 260 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.45 EUR
28+8.4 EUR
100+6.05 EUR
500+5.87 EUR
1000+4.69 EUR
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