Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS3306TRLPBF
IRFS3306TRLPBF

IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies


infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRFS3306TRLPBF nach Preis ab 1.46 EUR bis 4.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.65 EUR
1600+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.66 EUR
1600+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.89 EUR
1600+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
197+2.83 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
197+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 197
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 620A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.69 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 620A
Mounting: SMD
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.69 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+4.17 EUR
50+2.87 EUR
100+2.39 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3306_DataSheet_v01_01_EN-3363278.pdf MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.73 EUR
10+3.70 EUR
100+2.59 EUR
500+2.48 EUR
800+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V
auf Bestellung 7220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.84 EUR
10+3.58 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3306-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH