IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFS3306TRLPBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 5.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg |
auf Bestellung 661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3306TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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IRFS3306TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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