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IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies

Name: IRFS3607TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 32545678-5
Price: 648.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFS3607TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IRFS3607TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V

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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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117+	1.24 EUR
118+	1.19 EUR
119+	1.13 EUR
250+	1.08 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.97 EUR
3000+	0.92 EUR
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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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117+	1.2 EUR
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3000+	0.92 EUR
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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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500+	1.66 EUR
1000+	1.55 EUR
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IRFS3607TRLPBF

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MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg

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2+	2.15 EUR
10+	1.68 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.28 EUR
800+	0.88 EUR

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IRFS3607TRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V

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9+	2.15 EUR
11+	1.68 EUR
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Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IRFS3607TRLPBF
Produktcode: 200325

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Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C788DD8CBFF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=bd195fc092e1dd6bd534dd7e189505e734d16645

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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