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IRFS3607TRLPBF

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Produktcode: 200325
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 54400 Stücke:
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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155+0.94 EUR
156+0.93 EUR
250+0.9 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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154+0.95 EUR
155+0.88 EUR
156+0.84 EUR
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
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800+1.27 EUR
1600+1.17 EUR
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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69+2.15 EUR
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2400+0.9 EUR
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
auf Bestellung 2248 Stücke:
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF INFINEON 1911635.pdf Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7797 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF INFINEON 1911635.pdf Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7797 Stücke:
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IRFS3607TRLPBF International Rectifier HiRel Products irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 IRFS3607TRLPBF
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396+1.38 EUR
500+1.23 EUR
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IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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800+0.92 EUR
3200+0.84 EUR
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IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 54400 Stücke:
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3200+0.86 EUR
6400+0.81 EUR
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IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 54400 Stücke:
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AnzahlPreis
800+0.93 EUR
3200+0.84 EUR
6400+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6080 Stücke:
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AnzahlPreis
155+0.94 EUR
156+0.93 EUR
250+0.9 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.85 EUR
6000+0.83 EUR
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IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6080 Stücke:
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AnzahlPreis
154+0.95 EUR
155+0.88 EUR
156+0.84 EUR
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IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.27 EUR
1600+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
69+2.15 EUR
101+1.43 EUR
800+1.05 EUR
1600+0.95 EUR
2400+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
67+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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IRFS3607TRLPBF Infineon_IRFS3607_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
auf Bestellung 2641 Stücke:
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1+3.4 EUR
10+2.02 EUR
100+1.41 EUR
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800+0.97 EUR
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IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
auf Bestellung 2248 Stücke:
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5+3.91 EUR
10+2.5 EUR
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IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3607TRLPBF 1911635.pdf
IRFS3607TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFS3607TRLPBF infineonirfs3607datasheetv0101en.pdf
IRFS3607TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3607TRLPBF 1911635.pdf
IRFS3607TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3607TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3607TRLPBF irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRFS3607TRLPBF
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
396+1.38 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
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