IRFS4010TRL7PP Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 2.60 EUR |
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Technische Details IRFS4010TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFS4010TRL7PP nach Preis ab 2.68 EUR bis 8.31 EUR
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IRFS4010TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4010TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4010TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4010TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V |
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IRFS4010TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 190A 4.0mOhm 150nC Qg |
auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS4010TRL7PP | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFS4010TRL7PP | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4010TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4010TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4010TRL7PP Produktcode: 142952
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| IRFS4010TRL7PP | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 740A Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4010TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9830 pF @ 50 V |
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| IRFS4010TRL7PP | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 740A Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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