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IRFS4115TRLPBF

IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0103 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS4115_DataSheet_v01_01_EN-3363386.pdf MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0103 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4115TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFS4115TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
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Technology: HEXFET®
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