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IRFS4115TRLPBF

IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Technische Details IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+3.34 EUR
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187+3.5 EUR
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10000+2.44 EUR
100000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+3.11 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
250+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.59 EUR
1600+3.37 EUR
2400+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.16 EUR
42+4.06 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.16 EUR
42+4.15 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFS4115-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
auf Bestellung 12790 Stücke:
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1+7.08 EUR
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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24+7.53 EUR
25+7.1 EUR
50+6.69 EUR
100+6.32 EUR
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500+5.78 EUR
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.52 EUR
46+5.15 EUR
52+4.15 EUR
100+3.53 EUR
250+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 6645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.65 EUR
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100+4.56 EUR
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auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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1000+2.81 EUR
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IRFS4115TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1688 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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250+3.53 EUR
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IRFS4115TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2400+3.28 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.16 EUR
42+4.06 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.16 EUR
42+4.15 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
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10+5.34 EUR
100+3.88 EUR
500+3.28 EUR
800+3.27 EUR
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auf Bestellung 790 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
24+7.53 EUR
25+7.1 EUR
50+6.69 EUR
100+6.32 EUR
250+6.03 EUR
500+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
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30+8.52 EUR
46+5.15 EUR
52+4.15 EUR
100+3.53 EUR
250+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFS4115TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 6645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.65 EUR
10+6.4 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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