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IRFS4229TRLPBF

IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies

irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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800+3.13 EUR
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IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.34 EUR
500+3.12 EUR
1000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4355 Stücke:
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100+4.2 EUR
250+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.68 EUR
34+5.13 EUR
100+3.67 EUR
500+3.55 EUR
800+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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auf Bestellung 2595 Stücke:
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34+5.01 EUR
100+3.53 EUR
500+3.36 EUR
800+2.71 EUR
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IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 770 Stücke:
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22+8.07 EUR
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IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1 Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 1636 Stücke:
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IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFS4229-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
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IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4355 Stücke:
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IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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auf Bestellung 5680 Stücke:
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IRFS4229TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4355 Stücke:
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34+5.13 EUR
100+3.67 EUR
500+3.55 EUR
800+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+7.68 EUR
34+5.01 EUR
100+3.53 EUR
500+3.36 EUR
800+2.71 EUR
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Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IRFS4229TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+5.6 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
auf Bestellung 3005 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+9.15 EUR
10+5.99 EUR
100+4.46 EUR
500+3.75 EUR
800+3.45 EUR
2400+3.19 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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38+6.26 EUR
50+4.99 EUR
100+4.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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