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IRFS4310ZTRLPBF

IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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55+2.69 EUR
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800+1.51 EUR
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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51+2.83 EUR
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS4310Z_DataSheet_v01_01_EN-3363366.pdf MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
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1+4.80 EUR
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : INFINEON irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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