IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.58 EUR |
| 1600+ | 1.47 EUR |
| 2400+ | 1.41 EUR |
| 4000+ | 1.34 EUR |
| 5600+ | 1.3 EUR |
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Technische Details IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFS4310ZTRLPBF nach Preis ab 1.51 EUR bis 4.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IRFS4310ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 14704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS4310ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS4310ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFS4310ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |