IRFS4321TRL7PP Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 1.58 EUR |
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Technische Details IRFS4321TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4321TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 86 A, 0.0117 ohm, TO-263CB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350W, Bauform - Transistor: TO-263CB, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRFS4321TRL7PP nach Preis ab 1.58 EUR bis 4.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4321TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 86 A, 0.0117 ohm, TO-263CB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263CB Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4321TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 86 A, 0.0117 ohm, TO-263CB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 86A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V |
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IRFS4321TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V |
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