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IRFS4321TRLPBF

IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4321-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4321-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.55 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
500+1.67 EUR
800+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+4.41 EUR
46+2.99 EUR
100+2.25 EUR
250+2.14 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
auf Bestellung 28834 Stücke:
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Anzahl Preis
4+5.09 EUR
10+3.66 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS4321_DataSheet_v01_01_EN-3363413.pdf MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg
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1+5.21 EUR
10+3.82 EUR
25+3.80 EUR
100+2.90 EUR
250+2.89 EUR
500+2.68 EUR
800+2.18 EUR
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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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auf Bestellung 8800 Stücke:
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