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IRFS4321TRLPBF

IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies

irfs4321pbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4321TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4321_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg
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IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
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Mounting: SMD
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Power dissipation: 330W
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10+3.89 EUR
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IRFS4321TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+6.69 EUR
10+4.41 EUR
100+3.1 EUR
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