IRFS4410Z
Produktcode: 99517
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 100
Idd,A: 97
Rds(on), Ohm: 7.2 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4820/83
JHGF: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRFS4410Z | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS4410Z | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFS4410Z | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |