IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.23 EUR |
| 1600+ | 1.19 EUR |
| 2400+ | 1.13 EUR |
| 4000+ | 1.08 EUR |
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Technische Details IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 144W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm.
Weitere Produktangebote IRFS4620TRLPBF nach Preis ab 0.9 EUR bis 6.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 20800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 20800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
auf Bestellung 21600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg |
auf Bestellung 7328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
auf Bestellung 22295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.25 EUR |
| 1600+ | 1.21 EUR |
| 2400+ | 1.15 EUR |
| 4000+ | 1.11 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.31 EUR |
| 1600+ | 1.17 EUR |
| 2400+ | 1.06 EUR |
| 4000+ | 0.96 EUR |
| 5600+ | 0.9 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.31 EUR |
| 1600+ | 1.2 EUR |
| 2400+ | 1.09 EUR |
| 4000+ | 1.01 EUR |
| 5600+ | 0.99 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.34 EUR |
| 1600+ | 1.23 EUR |
| 2400+ | 1.12 EUR |
| 4000+ | 1.04 EUR |
| 5600+ | 1.01 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 20800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.34 EUR |
| 1600+ | 1.2 EUR |
| 2400+ | 1.08 EUR |
| 4000+ | 0.98 EUR |
| 5600+ | 0.93 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.19 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 21600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.21 EUR |
| 1600+ | 2.06 EUR |
| 2400+ | 1.99 EUR |
| 4000+ | 1.89 EUR |
| 5600+ | 1.87 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.38 EUR |
| 76+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 2.23 EUR |
| 200+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
auf Bestellung 7328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.55 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 2 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 800+ | 1.39 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.2 EUR |
| 61+ | 3.86 EUR |
| 100+ | 3.05 EUR |
| IRFS4620TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
auf Bestellung 22295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.37 EUR |
| 10+ | 4.14 EUR |
| 100+ | 2.88 EUR |





