IRFS7430TRL7PP Infineon Technologies
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Technische Details IRFS7430TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFS7430TRL7PP nach Preis ab 2 EUR bis 6.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V |
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IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC |
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IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS7430TRL7PP | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7430TRL7PP Produktcode: 106258
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7430TRL7PP | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 305nC Kind of channel: enhancement |
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