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IRFS7430TRLPBF

IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies

infineonirfs7430datasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.95 EUR
1600+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 551350 Stücke:
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210+3.14 EUR
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1000+2.71 EUR
10000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.21 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.74 EUR
29+2.98 EUR
33+2.64 EUR
100+2.19 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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auf Bestellung 3500 Stücke:
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30+6.03 EUR
47+3.69 EUR
100+2.78 EUR
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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47+3.75 EUR
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IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.16 EUR
10+5.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS7430_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+5.45 EUR
100+4.06 EUR
500+3.42 EUR
800+3.14 EUR
2400+2.98 EUR
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IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.43 EUR
50+4.74 EUR
100+3.21 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFS7430TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.95 EUR
1600+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 551350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+3.14 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.71 EUR
10000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFS7430TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
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IRFS7430TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+4.74 EUR
29+2.98 EUR
33+2.64 EUR
100+2.19 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.03 EUR
47+3.69 EUR
100+2.78 EUR
500+2.44 EUR
800+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+6.03 EUR
47+3.61 EUR
100+2.68 EUR
500+2.31 EUR
800+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.5 EUR
47+3.75 EUR
100+2.77 EUR
500+2.42 EUR
800+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.5 EUR
47+3.67 EUR
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500+2.28 EUR
800+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFS7430TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
auf Bestellung 1672 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+8.16 EUR
10+5.37 EUR
100+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.29 EUR
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IRFS7430TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
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