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IRFS7434TRL7PP

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Produktcode: 191369
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies irfs74347ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies irfs74347ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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800+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies irfs74347ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies irfs7434-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a7c0721ce Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.51 EUR
2400+3.21 EUR
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IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies irfs74347ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1150 Stücke:
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30+6.12 EUR
43+4 EUR
50+3.78 EUR
100+2.36 EUR
800+2 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies irfs74347ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1150 Stücke:
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30+6.12 EUR
43+4.08 EUR
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100+2.49 EUR
800+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies irfs7434-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a7c0721ce Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.42 EUR
10+6.26 EUR
50+4.89 EUR
100+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies infineon_irfs7434_7p_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
auf Bestellung 5177 Stücke:
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1+9.47 EUR
10+4.93 EUR
100+4.49 EUR
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IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP INFINEON irfs7434-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a7c0721ce Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.47 EUR
43+5.5 EUR
50+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP INFINEON irfs7434-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a7c0721ce Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRFS7434TRL7PP
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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800+2.7 EUR
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IRFS7434TRL7PP
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7434TRL7PP
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1150 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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43+4.08 EUR
50+3.93 EUR
100+2.49 EUR
800+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
auf Bestellung 4036 Stücke:
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10+6.26 EUR
50+4.89 EUR
100+4.45 EUR
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MOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
auf Bestellung 5177 Stücke:
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1+9.47 EUR
10+4.93 EUR
100+4.49 EUR
500+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFS7434TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.47 EUR
43+5.5 EUR
50+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7434TRL7PP irfs7434-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a7c0721ce
IRFS7434TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH