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IRFS7440TRLPBF

IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7440TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies irfs7440pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies irfs7440pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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800+1.05 EUR
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4000+0.92 EUR
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auf Bestellung 240 Stücke:
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162+1.07 EUR
163+1.05 EUR
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IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5 Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
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800+1.19 EUR
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IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7440TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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67+3.75 EUR
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IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5 Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
auf Bestellung 6261 Stücke:
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6+3.8 EUR
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IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS7440_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET
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auf Bestellung 1600 Stücke:
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800+1.02 EUR
1600+1 EUR
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auf Bestellung 4000 Stücke:
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1600+1 EUR
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Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2744 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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800+1.48 EUR
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IRFS7440TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7440TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.75 EUR
97+2.42 EUR
128+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFS7440TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
auf Bestellung 6261 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
100+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MOSFETs 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET
auf Bestellung 3893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+3.94 EUR
10+2.24 EUR
100+1.58 EUR
500+1.56 EUR
800+1.14 EUR
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Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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