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IRFS7530TRL7PP

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs75307ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs75307ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
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800+2.48 EUR
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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs75307ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs7530-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a9d1e21d8 Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs75307ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 630 Stücke:
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40+3.66 EUR
48+2.9 EUR
49+2.77 EUR
100+2.28 EUR
250+2.17 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs75307ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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40+3.66 EUR
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49+2.88 EUR
100+2.41 EUR
250+2.35 EUR
500+1.93 EUR
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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
auf Bestellung 365 Stücke:
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16+4.56 EUR
24+3.07 EUR
27+2.7 EUR
100+2.25 EUR
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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRFS7530_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
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10+4.49 EUR
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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs7530-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a9d1e21d8 Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
auf Bestellung 1790 Stücke:
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10+4.76 EUR
100+3.37 EUR
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IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2059 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
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800+2.48 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
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IRFS7530TRL7PP
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+2.65 EUR
1600+2.48 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 630 Stücke:
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Anzahl Preis
40+3.66 EUR
48+2.9 EUR
49+2.77 EUR
100+2.28 EUR
250+2.17 EUR
500+1.74 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 630 Stücke:
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Anzahl Preis
40+3.66 EUR
48+2.97 EUR
49+2.88 EUR
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250+2.35 EUR
500+1.93 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
auf Bestellung 365 Stücke:
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Anzahl Preis
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24+3.07 EUR
27+2.7 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
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IRFS7530TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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