IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFS7534TRLPBF nach Preis ab 1.24 EUR bis 6.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7534TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRFS7534TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFS7534TRLPBF SMD N channel transistors |
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