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IRFS7537TRLPBF

IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 173A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
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800+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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305+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
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auf Bestellung 24225 Stücke:
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305+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
10000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
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IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF INFINEON irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
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100+2.23 EUR
500+2.07 EUR
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45+3.94 EUR
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100+2.62 EUR
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IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies Infineon_Data_Sheet_IRFS7537PBF_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
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1+4.5 EUR
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500+1.36 EUR
800+1.34 EUR
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IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
auf Bestellung 1153 Stücke:
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5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.02 EUR
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IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF INFINEON IRSD-S-A0000108830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
72+3.25 EUR
102+2.12 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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800+1.29 EUR
2400+1.13 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
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800+1.36 EUR
2400+1.17 EUR
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2400+1.29 EUR
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IRFS7537TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
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800+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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305+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
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IRFS7537TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 24225 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
305+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
10000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.23 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFS7537TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+3.94 EUR
65+2.7 EUR
100+2.62 EUR
200+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRFS7537TRLPBF Infineon_Data_Sheet_IRFS7537PBF_DS_v01_01_EN.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+2 EUR
500+1.36 EUR
800+1.34 EUR
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IRFS7537TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
auf Bestellung 1153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
100+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFS7537TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.45 EUR
72+3.25 EUR
102+2.12 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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