IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFS7540TRLPBF nach Preis ab 1.19 EUR bis 3.68 EUR
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET N CH 60V 110A D2PAK |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V |
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IRFS7540TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET |
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