IRFS7730PBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 8.82 EUR |
| 22+ | 7.74 EUR |
| 50+ | 7 EUR |
| 100+ | 4.03 EUR |
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Technische Details IRFS7730PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote IRFS7730PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7730PBF | Infineon / IR |
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFS7730PBF |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)

