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IRFS7730TRL7PP

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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.21 EUR
1600+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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190+3.47 EUR
500+3.22 EUR
1000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.09 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.14 EUR
50+4.13 EUR
100+3.95 EUR
200+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.88 EUR
45+5.22 EUR
100+4.09 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRFS7730_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 1537 Stücke:
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1+7.94 EUR
10+5.57 EUR
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800+3.25 EUR
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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.77 EUR
10+5.8 EUR
100+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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IRFS7730TRL7PP
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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500+3.22 EUR
1000+2.99 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.14 EUR
50+4.13 EUR
100+3.95 EUR
200+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7730TRL7PP INFN-S-A0012813876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7730TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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45+5.22 EUR
100+4.09 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
auf Bestellung 1537 Stücke:
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10+5.57 EUR
100+3.94 EUR
500+3.67 EUR
800+3.25 EUR
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IRFS7730TRL7PP
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
auf Bestellung 2378 Stücke:
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3+8.77 EUR
10+5.8 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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