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IRFS9N60A

IRFS9N60A Vishay

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Produktcode: 77974
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: D2Pak (TO-263)
Uds,V: 600
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
JHGF: SMD
verfügbar: 4 St.
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
    IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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    IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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    IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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    IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 5.8A
    Power dissipation: 170W
    Case: D2PAK; TO263
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.75Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 49nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
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    Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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    IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
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    IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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    IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY VISH-S-A0013473630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 600V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 170W
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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    IRFS9N60APBF
    Hersteller: Vishay
    Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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    Hersteller: Vishay
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    76+1.9 EUR
    100+1.77 EUR
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    Hersteller: Vishay
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    IRFS9N60APBF
    Hersteller: VISHAY
    Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 5.8A
    Power dissipation: 170W
    Case: D2PAK; TO263
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.75Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 49nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
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    AnzahlPreis
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    Hersteller: Vishay Semiconductors
    MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
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    Hersteller: Vishay Siliconix
    Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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    IRFS9N60APBF
    Hersteller: VISHAY
    Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 600V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 170W
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
    SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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