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IRFS9N60A

IRFS9N60A Vishay

irfs9n60a_datasheet.pdf
Produktcode: 77974
Hersteller: Vishay
Gehäuse: D2Pak (TO-263)
Uds,V: 600
Idd,A: 05.08.2015
Rds(on), Ohm: 0.75
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/49
JHGF: SMD
verfügbar 4 Stück:
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Hersteller : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Hersteller : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Hersteller : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFETs TO263 600V 9.2A N-CH MOSFET
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
18+4.2 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013473630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFS9N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Hersteller : Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFS9N60A IRFS9N60A Hersteller : Vishay / Siliconix sihs9n60.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFS9N60APBF
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IRFS9N60A IRFS9N60A Hersteller : Vishay Siliconix sihs9n60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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