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IRFSL3207ZPBF

IRFSL3207ZPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Technische Details IRFSL3207ZPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-262, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFSL3207ZPBF IRFSL3207ZPBF Infineon Technologies infineonirfs3207zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL3207ZPBF IRFSL3207ZPBF Infineon Technologies infineon-irfs3207z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL3207ZPBF IRFSL3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 170A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO262
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IRFSL3207ZPBF IRFSL3207ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS3207Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
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Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 170A
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Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
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